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MOSFET结构

NMOS结构:

衬底为P型,重参杂n区形成源级和漏级,重参杂的多晶硅为栅极,有一层SiO2使得栅极和衬底隔离,此为增强型nmos,源极和漏极是对称的。

源级提供载流子,漏级收集载流子

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二极管

单向导电性

伏安特性:

影响因素:温度

有一个最大工作频率,超过了就没有单向导电性

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