MOSFET结构

NMOS结构：

衬底为P型，重参杂n区形成源级和漏级，重参杂的多晶硅为栅极，有一层SiO2使得栅极和衬底隔离，此为增强型nmos，源极和漏极是对称的。

源级提供载流子，漏级收集载流子

二极管

单向导电性

伏安特性：

影响因素：温度

有一个最大工作频率，超过了就没有单向导电性

在根据数据手册画封装时，需要对原尺寸进行补偿，否则可能会导致虚焊。

将焊盘的长度稍微增加即可，注意丝印不要打在焊盘上，所以需要将丝印打断。edit-slice..

检查封装

1 是否居中（快捷键efc）

2 丝印是否位于其他层以及是否覆盖焊盘

3 注意1∠标识

4 没必要的丝印删除

文本居中

1

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首行缩进2字符

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blog搭建总结

写在前面

这篇博客用于记录整个网站搭建过程中所遇到的问题以及解决方案

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